1、 影響運(yùn)行因素
A、EDI進(jìn)水電導(dǎo)率的影響。
在相同的操作電流下,隨著原水電導(dǎo)率的增加EDI對弱電解質(zhì)的去除率減小,出水的電導(dǎo)率也增加。如果原水電導(dǎo)率低則離子的含量也低,而低濃度離子使得在淡室中樹脂和膜的表面上形成的電動勢梯度也大,導(dǎo)致水的解離程度增強(qiáng),極限電流增大,產(chǎn)生的H+和OH-的數(shù)量較多,使填充在淡室中的陰、陽離子交換樹脂的再生效果良好。
B、工作電壓-電流的影響。
工作電流增大,產(chǎn)水水質(zhì)不斷變好。但如果在增至高點(diǎn)后再增加電流,由于水電離產(chǎn)生的H+和OH-離子量過多,除用于再生樹脂外,大量富余離子充當(dāng)載流離子導(dǎo)電,同時由于大量載流離子移動過程中發(fā)生積累和堵塞,甚至發(fā)生反擴(kuò)散,結(jié)果使產(chǎn)水水質(zhì)下降。
C、濁度、污染指數(shù)(SDI)的影響。
EDI組件產(chǎn)水通道內(nèi)填充有離子交換樹脂,過高的濁度、污染指數(shù)會使通道堵塞,造成系統(tǒng)壓差上升,產(chǎn)水量下降。
D、硬度的影響。
如果EDI中進(jìn)水的殘存硬度太高,會導(dǎo)致濃縮水通道的膜表面結(jié)垢,濃水流量下降,產(chǎn)水電阻率下降;影響產(chǎn)水水質(zhì),嚴(yán)重時會堵塞組件濃水和極水流道,導(dǎo)致組件因內(nèi)部發(fā)熱而毀壞。
E、TOC(總有機(jī)碳)的影響。
進(jìn)水中如果有機(jī)物含量過高,會造成樹脂和選擇透過性膜的有機(jī)污染,導(dǎo)致系統(tǒng)運(yùn)行電壓上升,產(chǎn)水水質(zhì)下降。同時也容易在濃縮水通道形成有機(jī)膠體,堵塞通道。
F、進(jìn)水中CO2的影響。
進(jìn)水中CO2生成的HCO3-是弱電解質(zhì),容易穿透離子交換樹脂層而造成產(chǎn)水水質(zhì)下降。
G、總陰離子含量(TEA)的影響。
高的TEA將會降低EDI產(chǎn)水電阻率,或需要提高EDI運(yùn)行電流,而過高的運(yùn)行電流會導(dǎo)致系統(tǒng)電流增大,極水余氯濃度增大,對極膜壽命不利。另外,進(jìn)水溫度、pH值、SiO2以及氧化物亦對EDI系統(tǒng)運(yùn)行有影響。
2、進(jìn)水水質(zhì)控制
A、進(jìn)水電導(dǎo)率的控制。
嚴(yán)格控制前處理過程中的電導(dǎo)率,使EDI進(jìn)水電導(dǎo)率小于40μS/cm,可以保證出水電導(dǎo)率合格以及弱電解質(zhì)的去除。
B、工作電壓-電流的控制。
系統(tǒng)工作時應(yīng)選擇適當(dāng)?shù)墓ぷ麟妷?電流。同時由于EDI凈水設(shè)備的電壓-電流曲線上存在一個極限電壓-電流點(diǎn)的位置,與進(jìn)水水質(zhì)、膜及樹脂的性能和膜對結(jié)構(gòu)等因素有關(guān)。為使一定量的水電離產(chǎn)生足夠量H+和OH-離子來再生一定量的離子交換樹脂,選定的EDI凈水設(shè)備的電壓-電流工作點(diǎn)必須大于極限電壓-電流點(diǎn)。
C、進(jìn)水CO2的控制。
可在RO前加堿調(diào)節(jié)pH,大限度地去除CO2,也可用脫氣塔和脫氣膜去除CO2。
D、進(jìn)水硬度的控制。
可結(jié)合除CO2,對RO進(jìn)水進(jìn)行軟化、加堿;進(jìn)水含鹽量高時,可結(jié)合除鹽增加一級RO或納濾。
E、TOC的控制。
結(jié)合其他指標(biāo)要求,增加一級RO來滿足要求。
F、濁度、污染指數(shù)的控制。
濁度、污染指數(shù)是RO系統(tǒng)進(jìn)水控制的主要指標(biāo)之一,合格的RO出水一般都能滿足EDI的進(jìn)水要求。
G、Fe的控制。
運(yùn)行中控制EDI進(jìn)水的Fe低于0.01mg/L。如果樹脂已經(jīng)發(fā)生了“中毒”,可以用酸溶液作復(fù)蘇處理,效果比較好。
H、EDI系統(tǒng)進(jìn)水水質(zhì)要求
綜合以上各方面的分析,對于EDI進(jìn)水的水質(zhì)要求如表所示,可以保證其出水指標(biāo)達(dá)到電子行業(yè)半導(dǎo)體制造需要的高純水的要求。